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瀾芯半導體1200V首款SiC MOSFET通過可靠性認證

2023年08月30日

近日,據瀾芯半導體官微消息,作為一家從事功率半導體開發的芯片設計企業,公司從2023年年初正式開始運營。經過8個月的艱苦和緊迫的研發(設計,流片,封裝,可靠性驗證),近期瀾芯半導體的首款SiC MOSFET產品1200V 80mΩ SiC MOSFET成功通過了1000小時175℃ 100%Vds HTRB和1000小時175℃ HTGB可靠性考核。


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